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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8HP21130HSR3

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8HP21130HSR3

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8HP21130HSR3
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8HP21130HSR3

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8HP21130HSR3

descripción
Número de parte: MRF8HP21130HSR3 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8HP21130HSR3

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 2.17GHz
Aumento 14dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 360mA
Poder - salida 28W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso NI-780S-4
Paquete del dispositivo del proveedor NI-780S-4
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8HP21130HSR3

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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