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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P8300HSR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P8300HSR5

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P8300HSR5
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P8300HSR5

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P8300HSR5

descripción
Número de parte: MRF8P8300HSR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8P8300HSR5

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 820MHz
Aumento 20.9dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 2A
Poder - salida 96W
Voltaje - clasificado 70V
Paquete/caso NI-1230S
Paquete del dispositivo del proveedor NI-1230S
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8P8300HSR5

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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