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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P26080HR3

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P26080HR3

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P26080HR3
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P26080HR3

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P26080HR3

descripción
Número de parte: MRF8P26080HR3 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780-4 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8P26080HR3

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 2.62GHz
Aumento 15dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 300mA
Poder - salida 14W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso NI-780-4
Paquete del dispositivo del proveedor NI-780-4
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8P26080HR3

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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