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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V13250HR3

Name: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V13250HR3
Brand: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V13250HR3
SKU: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V13250HR3
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (119 reviews)

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V13250HR3

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Precio:	Negotiable
Tiempo de entrega:	Negociable
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Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V13250HR3

descripción

Número de parte:	MRF6V13250HR3	Fabricante:	NXP USA Inc.
Descripción:	FET RF 120V 1.3GHZ NI-780	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF6V13250HR3

Situación de la parte	Interrumpido en Digi-Key
Tipo del transistor	LDMOS
Frecuencia	1.3GHz
Aumento	22.7dB
Voltaje - prueba	50V
Grado actual	-
Figura de ruido	-
Actual - prueba	100mA
Poder - salida	250W
Voltaje - clasificado	120V
Paquete/caso	NI-780
Paquete del dispositivo del proveedor	NI-780
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF6V13250HR3

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V13250HR3 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V13250HR3

Especificaciones MRF6V13250HR3

Empaquetado MRF6V13250HR3

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