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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP8600HSR6

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP8600HSR6

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP8600HSR6

descripción
Número de parte: MRFE6VP8600HSR6 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRFE6VP8600HSR6

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 860MHz
Aumento 19.3dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.4A
Poder - salida 125W
Voltaje - clasificado 130V
Paquete/caso NI-1230S
Paquete del dispositivo del proveedor NI-1230S
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRFE6VP8600HSR6

Detección

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etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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