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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20165WHR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20165WHR5

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20165WHR5
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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20165WHR5

descripción
Número de parte: MRF8P20165WHR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8P20165WHR5

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 1.98GHz ~ 2.01GHz
Aumento 14.8dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 550mA
Poder - salida 37W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso NI-780-4
Paquete del dispositivo del proveedor NI-780-4
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8P20165WHR5

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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