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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HR6

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HR6

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HR6

descripción
Número de parte: MRF8S18260HR6 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8S18260HR6

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 1.81GHz
Aumento 17.9dB
Voltaje - prueba 30V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.6A
Poder - salida 74W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1110A
Paquete del dispositivo del proveedor NI1230-8
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8S18260HR6

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HR6 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HR6 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HR6 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HR6 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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