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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLC6G22LS-75,112

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLC6G22LS-75,112

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLC6G22LS-75,112

descripción
Número de parte: BLC6G22LS-75,112 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones BLC6G22LS-75,112

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.11GHz ~ 2.17GHz
Aumento 18.5dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual 18A
Figura de ruido -
Actual - prueba 690mA
Poder - salida 17W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT896B
Paquete del dispositivo del proveedor SOT896B, DFM2
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado BLC6G22LS-75,112

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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