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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HSR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HSR5

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HSR5

descripción
Número de parte: MRF8S18260HSR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8S18260HSR5

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 1.81GHz
Aumento 17.9dB
Voltaje - prueba 30V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.6A
Poder - salida 74W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1110B
Paquete del dispositivo del proveedor NI1230S-8
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8S18260HSR5

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HSR5 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HSR5 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HSR5 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S18260HSR5 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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