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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S21200HR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S21200HR5

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S21200HR5

descripción
Número de parte: MRF8S21200HR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8S21200HR5

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 2.14GHz
Aumento 18.1dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.4A
Poder - salida 48W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso NI-1230
Paquete del dispositivo del proveedor NI-1230
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8S21200HR5

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S21200HR5 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S21200HR5 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S21200HR5 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S21200HR5 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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