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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S19260HSR6

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S19260HSR6

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8S19260HSR6

descripción
Número de parte: MRF8S19260HSR6 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8S19260HSR6

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 1.99GHz
Aumento 18.2dB
Voltaje - prueba 30V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.6A
Poder - salida 74W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1110B
Paquete del dispositivo del proveedor NI1230S-8
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8S19260HSR6

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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