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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLC8G27LS-245AVZ

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLC8G27LS-245AVZ

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLC8G27LS-245AVZ

descripción
Número de parte: BLC8G27LS-245AVZ Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512 del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLC8G27LS-245AVZ

Situación de la parte Compra de la última vez
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 2.5GHz ~ 2.69GHz
Aumento 14.5dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 500mA
Poder - salida 56W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1251-2
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-1251-2
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLC8G27LS-245AVZ

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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