Inicio Productos Transistor de efecto de campo

BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

Name: BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
Brand: BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
SKU: BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (126 reviews)

Todos los productos

circuitos integrados ics
(7037)

Chip IC de memoria
(2998)

Aislador análogo IC
(2527)

Microcontroladores y procesadores integrados
(5000)

Transistor de efecto de campo
(1833)

Módulo de potencia IGBT
(1002)

Triodo del diodo
(303)

Condensador de fines generales
(41)

Connectors Interconnects
(83)

Inductor del poder de SMD
(100)

Componente de la retransmisión
(203)

Fusibles de la protección de circuito
(195)

Estoy en línea para chatear ahora

BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

Ampliación de imagen : BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

Datos del producto:

Lugar de origen:	Original

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	Negociable
Precio:	Negotiable
Tiempo de entrega:	Negociable
Condiciones de pago:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

descripción

Número de parte:	BLF6G10S-45K, 112	Fabricante:	Ampleon los USA Inc.
Descripción:	FET LDMOS 65V 23DB SOT608B del RF	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

BLF6G10S-45K, 112 especificaciones

Situación de la parte	Compra de la última vez
Tipo del transistor	LDMOS
Frecuencia	922.5MHz ~ 957.5MHz
Aumento	23dB
Voltaje - prueba	28V
Grado actual	13A
Figura de ruido	-
Actual - prueba	350mA
Poder - salida	1W
Voltaje - clasificado	65V
Paquete/caso	SOT-608B
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-608B
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

BLF6G10S-45K, 112 que empaquetan

Detección

BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Otros productos

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

Modelo del producto: AOSS32136C

Paquete del proveedor: SOT-23

Breve descripción: MOSFET N-CH 20V6.5A 3-Pin SOT-23

Categoría de producto: FET - Individual

Transistores discretos de los semiconductores de IRFB4110PBF para la protección de circuito

Modelo del producto: IRFB4110PBF

Paquete del proveedor: TO-220-3

Breve descripción: MOSFET

Categoría de producto: Transistor de efecto de campo

Semiconductores discretos IRFS3207ZTRRPBF del Mosfet del transistor de efecto de campo del canal N

Modelo del producto: IRFS3207ZTRRPBF

Paquete del proveedor: TO-263-3

Breve descripción: MOSFET

Polaridad del transistor: Canal N

Poder Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 de la protección de circuito

Modelo del producto: IPD060N03LGATMA1

Paquete del proveedor: TO-252-3

Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 50A

Categoría de producto: FETs - solos

Transistor de efecto de campo de SMD/de SMT Chip Circuit Protection IRF8736TRPBF 30V 18A

Modelo del producto: IRF8736TRPBF

Paquete del proveedor: SOIC-8

Breve descripción: MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC

Categoría de producto: FET - Individual

BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

circuitos integrados ics

Chip IC de memoria

Aislador análogo IC

Microcontroladores y procesadores integrados

Transistor de efecto de campo

Módulo de potencia IGBT

Triodo del diodo

Condensador de fines generales

Connectors Interconnects

Inductor del poder de SMD

Componente de la retransmisión

Fusibles de la protección de circuito

BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

BLF6G10S-45K, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

BLF6G10S-45K, 112 especificaciones

BLF6G10S-45K, 112 que empaquetan

Detección

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

Transistores discretos de los semiconductores de IRFB4110PBF para la protección de circuito

Semiconductores discretos IRFS3207ZTRRPBF del Mosfet del transistor de efecto de campo del canal N

Poder Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 de la protección de circuito

Transistor de efecto de campo de SMD/de SMT Chip Circuit Protection IRF8736TRPBF 30V 18A

circuitos integrados ics

Circuito monolítico 48TQFP CY7C65632-48AXC del ICS USB de los circuitos integrados del semiconductor de Cypress

Microprocesador del indicador de la gasolina del TI BQ20Z65DBTR-R1 del ICS de los circuitos integrados de la gestión de la batería

Conductores IR IR2110STRPBF de los reguladores de la ignición de los ICs de los circuitos integrados de SMD/de SMT

Microcontroladores STM32F405RGT6 y FLASH integrado del St 1024 de los procesadores MCU

STM32F407VET6 circuitos integrados ICs

MCU integró los procesadores y a los reguladores STM32F103RCT6