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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G27-100,118

Name: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G27-100,118
Brand: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G27-100,118
SKU: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G27-100,118
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (159 reviews)

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G27-100,118

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Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G27-100,118

descripción

Número de parte:	BLF6G27-100,118	Fabricante:	Ampleon los USA Inc.
Descripción:	FET LDMOS 65V SOT502A del RF	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones BLF6G27-100,118

Situación de la parte	Obsoleto
Tipo del transistor	LDMOS
Frecuencia	-
Aumento	-
Voltaje - prueba	28V
Grado actual	29A
Figura de ruido	-
Actual - prueba	900mA
Poder - salida	14W
Voltaje - clasificado	65V
Paquete/caso	SOT-502A
Paquete del dispositivo del proveedor	LDMOST
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado BLF6G27-100,118

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G27-100,118 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G27-100,118

Especificaciones BLF6G27-100,118

Empaquetado BLF6G27-100,118

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