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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLD6G21L-50,112

Name: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLD6G21L-50,112
Brand: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLD6G21L-50,112
SKU: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLD6G21L-50,112
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (191 reviews)

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLD6G21L-50,112

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Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLD6G21L-50,112

descripción

Número de parte:	BLD6G21L-50,112	Fabricante:	Ampleon los USA Inc.
Descripción:	FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A del RF	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones BLD6G21L-50,112

Situación de la parte	Obsoleto
Tipo del transistor	LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia	2.02GHz
Aumento	14.5dB
Voltaje - prueba	28V
Grado actual	10.2A
Figura de ruido	-
Actual - prueba	170mA
Poder - salida	8W
Voltaje - clasificado	65V
Paquete/caso	SOT-1130A
Paquete del dispositivo del proveedor	CDFM4
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado BLD6G21L-50,112

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLD6G21L-50,112 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Especificaciones BLD6G21L-50,112

Empaquetado BLD6G21L-50,112

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