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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ARF466BG

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ARF466BG

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ARF466BG

descripción
Número de parte: ARF466BG Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: FET N CH 1000V 13A TO264 del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de ARF466BG

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor Canal N
Frecuencia 40.68MHz
Aumento 16dB
Voltaje - prueba 150V
Grado actual 13A
Figura de ruido -
Actual - prueba -
Poder - salida 150W
Voltaje - clasificado 1000V
Paquete/caso TO-264-3, TO-264AA
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de ARF466BG

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ARF466BG 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ARF466BG 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ARF466BG 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ARF466BG 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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