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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP8G10S-45PGY

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP8G10S-45PGY

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP8G10S-45PGY

descripción
Número de parte: BLP8G10S-45PGY Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLP8G10S-45PGY

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 952.5MHz ~ 957.5MHz
Aumento 20.8dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 224mA
Poder - salida 2.5W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso 4-BESOP (0,173", anchura de 4.40m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 4-HSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLP8G10S-45PGY

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

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