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BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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Ampliación de imagen :  BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

descripción
Número de parte: BLS6G2735LS-30,112 Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

BLS6G2735LS-30,112 Specifications

Part Status Active
Transistor Type LDMOS
Frequency 3.1GHz ~ 3.5GHz
Gain 13dB
Voltage - Test 32V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 50mA
Power - Output 30W
Voltage - Rated 60V
Package / Case SOT-1135B
Supplier Device Package CDFM2
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

BLS6G2735LS-30,112 Packaging

Detection

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 0BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 1BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 2BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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