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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6H1214LS-250,11

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6H1214LS-250,11

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6H1214LS-250,11

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLL6H1214LS-250,11

descripción
Número de parte: BLL6H1214LS-250,11 Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 100V 17DB SOT502B del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones BLL6H1214LS-250,11

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 1.2GHz ~ 1.4GHz
Aumento 17dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual 42A
Figura de ruido -
Actual - prueba 100mA
Poder - salida 250W
Voltaje - clasificado 100V
Paquete/caso SOT-502B
Paquete del dispositivo del proveedor SOT502B
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado BLL6H1214LS-250,11

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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