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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1J025D

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1J025D

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1J025D
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1J025D

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1J025D

descripción
Número de parte: CGHV1J025D Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: El HEMT 40V del MOSFET del RF MUERE Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de CGHV1J025D

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor HEMT
Frecuencia 18GHz
Aumento 17dB
Voltaje - prueba 40V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 120mA
Poder - salida 25W
Voltaje - clasificado 100V
Paquete/caso Muera
Paquete del dispositivo del proveedor Muera
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de CGHV1J025D

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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