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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1F006S

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1F006S

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1F006S

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV1F006S

descripción
Número de parte: CGHV1F006S Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: FET RF 40V 6GHZ 12DFN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de CGHV1F006S

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor HEMT
Frecuencia 6GHz
Aumento 16dB
Voltaje - prueba 40V
Grado actual 950mA
Figura de ruido -
Actual - prueba 60mA
Poder - salida 8W
Voltaje - clasificado 100V
Paquete/caso 12-VFDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor 12-DFN (4x3)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de CGHV1F006S

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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