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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP6300HR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP6300HR5

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP6300HR5

descripción
Número de parte: MRFE6VP6300HR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRFE6VP6300HR5

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 230MHz
Aumento 26.5dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 100mA
Poder - salida 300W
Voltaje - clasificado 130V
Paquete/caso NI-780-4
Paquete del dispositivo del proveedor NI-780-4
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRFE6VP6300HR5

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP6300HR5 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP6300HR5 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP6300HR5 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP6300HR5 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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