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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLM7G1822S-40PBGY

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLM7G1822S-40PBGY

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLM7G1822S-40PBGY

descripción
Número de parte: BLM7G1822S-40PBGY Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLM7G1822S-40PBGY

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 1.81GHz ~ 2.17GHz
Aumento 31.5dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 40mA
Poder - salida 4W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1212-1
Paquete del dispositivo del proveedor 16-HSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLM7G1822S-40PBGY

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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