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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP10H610AZ

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP10H610AZ

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP10H610AZ

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP10H610AZ

descripción
Número de parte: BLP10H610AZ Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLP10H610AZ

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 860MHz
Aumento 22dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 60mA
Poder - salida 10W
Voltaje - clasificado 104V
Paquete/caso 12-VDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor 12-HVSON (5x6)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLP10H610AZ

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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