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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VS25NR1

Name: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VS25NR1
Brand: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VS25NR1
SKU: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VS25NR1
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (177 reviews)

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VS25NR1

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Cantidad de orden mínima:	Negociable
Precio:	Negotiable
Tiempo de entrega:	Negociable
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Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VS25NR1

descripción

Número de parte:	MRFE6VS25NR1	Fabricante:	NXP USA Inc.
Descripción:	FET RF 133V 512MHZ TO270-2	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRFE6VS25NR1

Situación de la parte	Activo
Tipo del transistor	LDMOS
Frecuencia	512MHz
Aumento	25.4dB
Voltaje - prueba	50V
Grado actual	-
Figura de ruido	-
Actual - prueba	10mA
Poder - salida	25W
Voltaje - clasificado	133V
Paquete/caso	TO-270AA
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-270-2
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado MRFE6VS25NR1

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VS25NR1 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Especificaciones MRFE6VS25NR1

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