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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP27M810Z

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP27M810Z

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP27M810Z

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLP27M810Z

descripción
Número de parte: BLP27M810Z Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLP27M810Z

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 2.14GHz
Aumento 17dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 110mA
Poder - salida 2W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso 16-VDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor 16-HVSON (4x6)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLP27M810Z

Detección

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etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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