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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo PTFA192001EV4T350XWSA1

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo PTFA192001EV4T350XWSA1

Ampliación de imagen :  Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo PTFA192001EV4T350XWSA1

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo PTFA192001EV4T350XWSA1

descripción
Número de parte: PTFA192001EV4T350XWSA1 Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: FET LDMOS H-36260-2 DE IC RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF Serie: *

Especificaciones PTFA192001EV4T350XWSA1

Situación de la parte Compra de la última vez
Tipo del transistor -
Frecuencia -
Aumento -
Voltaje - prueba -
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba -
Poder - salida -
Voltaje - clasificado -
Paquete/caso -
Paquete del dispositivo del proveedor -
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado PTFA192001EV4T350XWSA1

Detección

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etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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