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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20100HR3

Name: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20100HR3
Brand: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20100HR3
SKU: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20100HR3
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (157 reviews)

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20100HR3

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Precio:	Negotiable
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Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20100HR3

descripción

Número de parte:	MRF8P20100HR3	Fabricante:	NXP USA Inc.
Descripción:	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8P20100HR3

Situación de la parte	Obsoleto
Tipo del transistor	LDMOS (dual)
Frecuencia	2.03GHz
Aumento	16dB
Voltaje - prueba	28V
Grado actual	-
Figura de ruido	-
Actual - prueba	400mA
Poder - salida	20W
Voltaje - clasificado	65V
Paquete/caso	NI-780-4
Paquete del dispositivo del proveedor	NI-780-4
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8P20100HR3

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20100HR3 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Especificaciones MRF8P20100HR3

Empaquetado MRF8P20100HR3

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