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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PTRA093302DC V1

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PTRA093302DC V1

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PTRA093302DC V1
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PTRA093302DC V1

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PTRA093302DC V1

descripción
Número de parte: PTRA093302DC V1 Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: FET LDMOS 330W H-49248H-4 de IC RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF Serie: *

Especificaciones de PTRA093302DC V1

Situación de la parte Compra de la última vez
Tipo del transistor -
Frecuencia -
Aumento -
Voltaje - prueba -
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba -
Poder - salida -
Voltaje - clasificado -
Paquete/caso -
Paquete del dispositivo del proveedor -
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de PTRA093302DC V1

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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