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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P18265HSR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P18265HSR5

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P18265HSR5

descripción
Número de parte: MRF8P18265HSR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8P18265HSR5

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 1.88GHz
Aumento 16dB
Voltaje - prueba 30V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 800mA
Poder - salida 72W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1110B
Paquete del dispositivo del proveedor NI1230S-8
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8P18265HSR5

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P18265HSR5 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P18265HSR5 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P18265HSR5 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P18265HSR5 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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