Enviar mensaje
Solicitar una cotización |
Inicio ProductosTransistor de efecto de campo

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U

Todos los productos

circuitos integrados ics

(7037)

Chip IC de memoria

(2998)

Aislador análogo IC

(2527)

Microcontroladores y procesadores integrados

(5000)

Transistor de efecto de campo

(1833)

Módulo de potencia IGBT

(1002)

Triodo del diodo

(303)

Condensador de fines generales

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Inductor del poder de SMD

(100)

Componente de la retransmisión

(203)

Fusibles de la protección de circuito

(195)
Estoy en línea para chatear ahora

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U

Ampliación de imagen :  Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U

descripción
Número de parte: BLA6H0912L-1000U Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLA6H0912L-1000U

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 1.03GHz
Aumento 15.5dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 200mA
Poder - salida 1000W
Voltaje - clasificado 100V
Paquete/caso SOT539A
Paquete del dispositivo del proveedor SOT539A
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLA6H0912L-1000U

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLA6H0912L-1000U 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

circuitos integrados ics

Circuito monolítico 48TQFP CY7C65632-48AXC del ICS USB de los circuitos integrados del semiconductor de Cypress

Microprocesador del indicador de la gasolina del TI BQ20Z65DBTR-R1 del ICS de los circuitos integrados de la gestión de la batería

Conductores IR IR2110STRPBF de los reguladores de la ignición de los ICs de los circuitos integrados de SMD/de SMT

Microcontroladores STM32F405RGT6 y FLASH integrado del St 1024 de los procesadores MCU

STM32F407VET6 circuitos integrados ICs

MCU integró los procesadores y a los reguladores STM32F103RCT6

DEJA UN MENSAJE

Política de privacidad | China Bueno Calidad circuitos integrados ics Proveedor. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.