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BLF573S, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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BLF573S, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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BLF573S, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

BLF573S, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

descripción
Número de parte: BLF573S, 112 Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

BLF573S, 112 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 225MHz
Aumento 27.2dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual 42A
Figura de ruido -
Actual - prueba 900mA
Poder - salida 300W
Voltaje - clasificado 110V
Paquete/caso SOT-502B
Paquete del dispositivo del proveedor SOT502B
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

BLF573S, 112 que empaquetan

Detección

BLF573S, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 0BLF573S, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 1BLF573S, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 2BLF573S, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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