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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV27100F

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV27100F

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV27100F
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV27100F

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV27100F

descripción
Número de parte: CGHV27100F Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: FET RF 50V 2.7GHZ 440162 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de CGHV27100F

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor HEMT
Frecuencia 2.5GHz ~ 2.7GHz
Aumento 18dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual 6A
Figura de ruido -
Actual - prueba 500mA
Poder - salida 100W
Voltaje - clasificado 50V
Paquete/caso 440162
Paquete del dispositivo del proveedor 440162
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de CGHV27100F

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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