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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV27200F

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV27200F

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV27200F

descripción
Número de parte: CGHV27200F Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: FET RF 50V 2.7GHZ 440162 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de CGHV27200F

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor HEMT
Frecuencia 2.5GHz ~ 2.7GHz
Aumento 15dB ~ 16dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual 12A
Figura de ruido -
Actual - prueba 1A
Poder - salida 200W
Voltaje - clasificado 50V
Paquete/caso 440162
Paquete del dispositivo del proveedor 440162
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de CGHV27200F

Detección

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etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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