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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G38LS-50,112

Name: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G38LS-50,112
Brand: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G38LS-50,112
SKU: Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G38LS-50,112
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (101 reviews)

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G38LS-50,112

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Capacidad de la fuente:	100000

Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G38LS-50,112

descripción

Número de parte:	BLF6G38LS-50,112	Fabricante:	Ampleon los USA Inc.
Descripción:	FET LDMOS 65V 14DB SOT502B del RF	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones BLF6G38LS-50,112

Situación de la parte	Activo
Tipo del transistor	LDMOS
Frecuencia	3.4GHz ~ 3.6GHz
Aumento	14dB
Voltaje - prueba	28V
Grado actual	16.5A
Figura de ruido	-
Actual - prueba	450mA
Poder - salida	9W
Voltaje - clasificado	65V
Paquete/caso	SOT-502B
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT502B
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

Empaquetado BLF6G38LS-50,112

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G38LS-50,112 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF6G38LS-50,112

Especificaciones BLF6G38LS-50,112

Empaquetado BLF6G38LS-50,112

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