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BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

Name: BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
Brand: BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
SKU: BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (173 reviews)

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BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

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Contacto

BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs

descripción

Número de parte:	BLS6G2731-6G, 112	Fabricante:	Ampleon los USA Inc.
Descripción:	FET LDMOS 60V 15DB SOT975C del RF	Categoría:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:	Transistores - FETs, MOSFETs - RF

BLS6G2731-6G, 112 especificaciones

Situación de la parte	Activo
Tipo del transistor	LDMOS
Frecuencia	2.7GHz ~ 3.1GHz
Aumento	15dB
Voltaje - prueba	32V
Grado actual	3.5A
Figura de ruido	-
Actual - prueba	25mA
Poder - salida	6W
Voltaje - clasificado	60V
Paquete/caso	SOT-975C
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT975C
Envío	UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición	Nueva fábrica original.

BLS6G2731-6G, 112 que empaquetan

Detección

BLS6G2731-6G, microprocesador del RF de 112 de campo de efecto del transistor de los transistores MOSFETs de los FETs 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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BLS6G2731-6G, 112 especificaciones

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