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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de MMBFJ309LT1G

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de MMBFJ309LT1G

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de MMBFJ309LT1G
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de MMBFJ309LT1G

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de MMBFJ309LT1G

descripción
Número de parte: MMBFJ309LT1G Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: JFET N-CH 25V 30MA SOT23 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de MMBFJ309LT1G

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor Canal N JFET
Frecuencia -
Aumento -
Voltaje - prueba -
Grado actual 30mA
Figura de ruido -
Actual - prueba -
Poder - salida -
Voltaje - clasificado 25V
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de MMBFJ309LT1G

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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