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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV50200F

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV50200F

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV50200F

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV50200F

descripción
Número de parte: CGHV50200F Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: 200-W 4400-5000-MHZ 50-OHM I Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de CGHV50200F

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor HEMT
Frecuencia 5GHz
Aumento 11.8dB
Voltaje - prueba 40V
Grado actual 17A
Figura de ruido -
Actual - prueba 1A
Poder - salida 200W
Voltaje - clasificado 125V
Paquete/caso 440217
Paquete del dispositivo del proveedor 440217
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de CGHV50200F

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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