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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV14800F

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV14800F

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV14800F
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV14800F

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CGHV14800F

descripción
Número de parte: CGHV14800F Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: HEMT de 800-W 1200-1400-MHZ GAN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de CGHV14800F

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor HEMT
Frecuencia 1.4GHz
Aumento 14.5dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual 24A
Figura de ruido -
Actual - prueba 800mA
Poder - salida 900W
Voltaje - clasificado 125V
Paquete/caso 440117
Paquete del dispositivo del proveedor 440117
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de CGHV14800F

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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