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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF888ESU

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF888ESU

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF888ESU

descripción
Número de parte: BLF888ESU Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 104V 17DB SOT539B del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLF888ESU

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 600MHz ~ 700MHz
Aumento 17dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 600mA
Poder - salida 750W
Voltaje - clasificado 104V
Paquete/caso SOT539B
Paquete del dispositivo del proveedor -
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLF888ESU

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF888ESU 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF888ESU 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF888ESU 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF888ESU 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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