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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF1721M8LS200U

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF1721M8LS200U

descripción
Número de parte: BLF1721M8LS200U Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 65V 19DB SOT502B del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLF1721M8LS200U

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.11GHz ~ 2.17GHz
Aumento 19dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 2A
Poder - salida 55W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-502B
Paquete del dispositivo del proveedor SOT502B
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLF1721M8LS200U

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF1721M8LS200U 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF1721M8LS200U 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF1721M8LS200U 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF1721M8LS200U 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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