Mosfet del canal N del FET SOT23 del transistor de efecto de campo AO3160
Transistor de efecto de campo AO3160
,FET del transistor de efecto de campo
,Mosfet del canal N SOT23
MOSFETs N-CH 20V 6.5A SOT23 de los transistores del FET de los tiristores de los diodos del transistor de efecto de campo AO3416
- El AO3160 se fabrica usando un proceso de alto voltaje avanzado del MOSFET que se diseñe para entregar niveles del funcionamiento y de la robustez en usos populares de AC-DC. Proporcionando el RDS bajo (encendido), CISS y Crss junto con capacidad garantizada de la avalancha este dispositivo pueden ser adoptados rápidamente en nuevos y existentes diseños off-line de la fuente de alimentación.
Número de parte interno | AO3160 | |
Situación sin plomo/situación de RoHS | Sin plomo/RoHS obediente | |
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) | |
Situación de la producción (ciclo vital) | En la producción | |
Condición | Nuevo y inusitado, original sellado | |
Otros documentos relacionados | Política del verde del AOS | |
Paquete estándar | 6.000 | |
Categoría | Productos de semiconductor discretos | |
Familia | FETs - solos | |
Serie | - | |
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) | |
Tipo del FET | Canal N del MOSFET, óxido de metal | |
Característica del FET | Estándar | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 600V | |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 40mA (TA) | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 500 ohmios @ 16mA, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.2V @ 8µA | |
Carga de la puerta (Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 10V | |
Capacitancia entrada (CISS) @ Vds | 15pF @ 25V | |
Poder - máximo | 1.39W | |
Montaje del tipo | Soporte superficial | |
Paquete/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 | |
Peso | 0,001 KILOGRAMOS | |
Uso | Correo electrónico para los detalles | |
Parte alternativa (reemplazo) | AO3160 | |
Vínculos relacionados | AO3, AO3160 ficha técnica, distribuidor de Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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