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Transistores IGBTs del módulo de poder de HGT1S7N60A4DS IGBT solo

Categoría:
Módulo de potencia IGBT
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
HGT1S7N60A4DS
Fabricante:
Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción:
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Categoría:
Transistores - IGBTs - solos
Familia:
Transistores - IGBTs - solos
Introducción

Especificaciones de HGT1S7N60A4DS

Situación de la parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 600V
Actual - colector (Ic) (máximo) 34A
Actual - colector pulsado (Icm) 56A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Poder - máximo 125W
Energía que cambia 55µJ (encendido), 60µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 37nC
TD (con./desc.) @ 25°C 11ns/100ns
Condición de prueba 390V, 7A, 25 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 34ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263AB
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de HGT1S7N60A4DS

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable