MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STFI6N65K3 solos
Especificaciones
Número de parte:
STFI6N65K3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie:
SuperMESH3™
Introducción
Especificaciones STFI6N65K3
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 650V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4.5V @ 50µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 880pF @ 50V |
Vgs (máximo) | ±30V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 30W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 1,3 ohmios @ 2.7A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAKFP (TO-281) |
Paquete/caso | Paquete completo TO-262-3, yo ² Pak |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado STFI6N65K3
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable