Mosfet del canal N de los tiristores 6A 20V de los diodos del transistor de efecto de campo AO3420
Transistor de efecto de campo AO3420
,Transistor de efecto de campo 6A
,Mosfet del canal N 20V
MOSFETs N-CH 20V 6A SOT23 de los transistores del FET de los tiristores de los diodos del transistor de efecto de campo AO3420
- él AO3420 utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 1.8V mientras que conserva un grado de 12V VGS (max). Este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor unidireccional o bidireccional de la carga.
Número de parte interno | AO3420 | |
Situación sin plomo/situación de RoHS | Sin plomo/RoHS obediente | |
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) | |
Situación de la producción (ciclo vital) | En la producción | |
Condición | Nuevo y inusitado, original sellado | |
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Paquete estándar | 3.000 | |
Categoría | Productos de semiconductor discretos | |
Familia | FETs - solos | |
Serie | - | |
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) | |
Tipo del FET | Canal N del MOSFET, óxido de metal | |
Característica del FET | Puerta del nivel de la lógica, impulsión 1.8V | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 20V | |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 6A (TA) | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 24 mOhm @ 6A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 1mA | |
Carga de la puerta (Qg) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V | |
Capacitancia entrada (CISS) @ Vds | 630pF @ 10V | |
Poder - máximo | 1.4W | |
Montaje del tipo | Soporte superficial | |
Paquete/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 | |
Peso | 0,001 KILOGRAMOS | |
Uso | Correo electrónico para los detalles | |
Parte alternativa (reemplazo) | AO3420 | |
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