Mosfet del Mosfet del canal N del transistor de efecto de campo AO6604 y del canal de P
Transistor de efecto de campo AO6604
,Canal N del transistor de efecto de campo
,Mosfet del Mosfet del canal N y del canal de P
MOSFETs N/P-CH 20V 6-TSOP de los transistores del FET de los tiristores de los diodos del transistor de efecto de campo AO6604
- El AO6604 combina tecnología avanzada del MOSFET del foso con un paquete bajo de la resistencia para proporcionar extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO). Este dispositivo es ideal para los usos de la protección del interruptor y de la batería de la carga.
Número de parte interno | AO6604 | |
Situación sin plomo/situación de RoHS | Sin plomo/RoHS obediente | |
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) | |
Situación de la producción (ciclo vital) | En la producción | |
Condición | Nuevo y inusitado, original sellado | |
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Paquete estándar | 3.000 | |
Categoría | Productos de semiconductor discretos | |
Familia | FETs - órdenes | |
Serie | - | |
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) | |
Tipo del FET | N y P-canal | |
Característica del FET | Puerta del nivel de la lógica | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 20V | |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 3.4A, 2.5A | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V | |
Capacitancia entrada (CISS) @ Vds | 320pF @ 10V | |
Poder - máximo | 1.1W | |
Montaje del tipo | Soporte superficial | |
Paquete/caso | SC-74, SOT-457 | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
Peso | 0,001 KILOGRAMOS | |
Uso | Correo electrónico para los detalles | |
Parte alternativa (reemplazo) | AO6604 | |
Vínculos relacionados | AO6, AO6604 ficha técnica, distribuidor de Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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