Solo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60V
Especificaciones
Modelo del producto:
IRFB3206PBF
Paquete del proveedor:
TO-220-3
Breve descripción:
Semiconductores
Categoría de producto:
Mosfe
Áreas de aplicación:
Controladores de puerta
Fecha de la fabricación:
Dentro de un año
Resaltar:
Solo transistor de efecto de campo
,mosfet del canal N 60v
,IRFB3206PBF
Introducción
Canal N IR 60V del Mosfet del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF solo
Gama de productos
- 60V solo canal N IR MOSFET™ en un paquete de TO-220AB
Características del App
- Optimizado para la disponibilidad más amplia de socios de la distribución
- Calificación del producto según estándar de JEDEC
- Paquete del poder del por-agujero del estándar industrial
- Paquete de gran intensidad de la capacidad que lleva
- Compatibilidad del proveedor múltiple
- Nivel de la calificación del estándar industrial
- El pinout estándar permite descenso en el reemplazo
- Capacidad que lleva actual creciente
Datos básicos
Cualidad de producto | Valor del atributo |
---|---|
Infineon | |
Categoría de producto: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Si | |
A través del agujero | |
TO-220-3 | |
Canal N | |
1 canal | |
60 V | |
210 A | |
2,4 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
4 V | |
120 nC | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
300 W | |
Aumento | |
Tubo | |
Marca: | Infineon Technologies |
Configuración: | Solo |
Altura: | 15,65 milímetros |
Longitud: | 10 milímetros |
Tipo de producto: | MOSFET |
1000 | |
Subcategoría: | MOSFETs |
Tipo del transistor: | 1 canal N |
Anchura: | 4,4 milímetros |
Parte # alias: | IRFB3206PBF |
Peso de unidad: | 0,068784 onzas |
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
- impresoras 3D
- Aparatos electrodomésticos
- Control e impulsiones de motor
- Herramientas eléctricas
- Solución de confianza del semiconductor para los vehículos eléctricos ligeros (LEV)
- Motores de BLDC
- Motores síncronos trifásicos del imán permanente
- Inversores
- Medios conductores del puente
- Sistemas de control robóticos
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