Canal N STB24N60DM2 del transistor del Mosfet del poder de los semiconductores
Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negociable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Modelo del producto:
STB24N60DM2
Paquete del proveedor:
TO-263-3
Breve descripción:
MOSFET
Polaridad del transistor:
Canal N
Áreas de aplicación:
Cambio de aplicaciones
Fecha de la fabricación:
Dentro de un año
Resaltar:
Transistor del Mosfet del poder de los semiconductores
,Canal N del transistor del Mosfet del poder
,STB24N60DM2
Introducción
Gama de productos
- Los semiconductores STB24N60DM2 accionan el transistor de efecto de campo de los transistores del Mosfet discreto Canal N
- Canal N 600 V, 0,13 tipos de Ω., 21 MOSFETs de un poder de MDmesh™ DM2 en el ² PAK de D, paquetes TO-220 y TO-247
Características del App
- Características
- diodo del cuerpo de la Rápido-recuperación
- Extremadamente - carga de la puerta y capacitancia bajas de la entrada
- En-resistencia baja
- la avalancha 100% probó
- Aspereza extremadamente alta de dv/dt
- Zener-protegido
- Descripción
- Estos MOSFETs de alto voltaje del poder del canal N son parte de la serie rápida del diodo de la recuperación de MDmesh™ DM2. Ofrecen la carga muy baja de la recuperación (Qrr) y la hora (trr) combinada con el RDS bajo (encendido), haciéndolas convenientes para los convertidores más exigentes y el ideal de la eficacia alta para los convertidores de las topologías del puente y del defasaje de ZVS.
Datos básicos
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 600 V | |
| 18 A | |
| 200 mOhms | |
| - 25 V, + 25 V | |
| 4 V | |
| 29 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 150 W | |
| Aumento | |
| FDmesh | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| Carrete | |
| Marca: | STMicroelectronics |
| Configuración: | Solo |
| Tiempo de caída: | 15 ns |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 8,7 ns |
| Serie: | STB24N60DM2 |
| 1000 | |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 60 ns |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 15 ns |
| Peso de unidad: | 0,139332 onzas |
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
- Usos que cambian
- Motores de BLDC
- Motores síncronos trifásicos del imán permanente
- Inversores
- Medios conductores del puente
- Sistemas de control robóticos
- Dispositivos
- Infraestructura de la rejilla
- EPOS • Theate casero
- Sistemas eléctricos distribuidos
- Comunicaciones/infraestructura del establecimiento de una red
Proceso de la orden
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Chip Diagram
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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable