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Datos del producto:
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| Número de parte: | STGD4M65DF2 | Fabricante: | STMicroelectronics |
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| Descripción: | PUERTA FIELD-STOP IGBT, M S DEL FOSO | Categoría: | Transistores - IGBTs - solos |
| Familia: | Transistores - IGBTs - solos | Serie: | METRO |
| Situación de la parte | Activo |
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| Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 650V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 8A |
| Actual - colector pulsado (Icm) | 16A |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Poder - máximo | 68W |
| Energía que cambia | 40µJ (encendido), 136µJ (apagado) |
| Tipo entrado | Estándar |
| Carga de la puerta | 15.2nC |
| TD (con./desc.) @ 25°C | 12ns/86ns |
| Condición de prueba | 400V, 4A, 47 ohmios, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | 133ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135
